SK하이닉스, 극미세화 기술한계 돌파…세계 최초 ‘10나노급 6세대 D램’ 개발

원가 경쟁력 확보… 내년 본격 공급
데이터센터 전력비용 최대 30% 절감

SK하이닉스가 현존 가장 미세화된 D램 개발에 성공했다. 메모리 업계 최초 10나노(㎚·1나노는 10억분의 1미터)급 6세대(1c) D램이다. 글로벌 메모리 업체 간 치열해지고 있는 초미세공정 경쟁에서 한발 더 나아갔다는 평가다.

29일 SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급할 계획이라고 밝혔다. 앞서 지난해 2분기 양산한 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술 한계를 돌파해 냈다는 게 회사의 설명이다. 경쟁사인 삼성전자와 마이크론의 6세대 D램 개발 시점은 빨라도 연말에나 가능할 것으로 업계는 보고 있다.

신제품은 전작 대비 속도와 전력 효율을 크게 개선한 게 특징이다. 동작 속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로, 이전 세대 대비 11% 빨라지고 전력효율은 9% 이상 개선됐다. AI(인공지능) 시대가 본격화되면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘어나는 가운데 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 회사는 기대하고 있다.

앞서 업계에선 D램 초미세 공정이 10나노부터 물리적 한계에 맞닥뜨릴 것으로 내다봤지만, SK하이닉스는 기존 5세대인 1b D램 플랫폼을 확장하는 방식으로 6세대 1c를 개발했다. SK하이닉스 관계자는 "업계 최고 성능 D램으로 인정받는 1b의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있다고 기술진은 판단했다"며 "극자외선(EUV) 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력도 확보했다"고 설명했다.

메모리 시장에서 삼성전자에 이어 2위를 달리고 있는 SK하이닉스는 최근 D램 경쟁력 확대에 열을 올리고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 SK하이닉스는 올해 2분기 세계 D램 시장에서 전 분기 대비 38.7% 증가한 79억 달러(약 10조8000억원)의 매출을 기록해 2위에 올랐다. 이 기간 주요 D램 업체 가운데 시장 점유율이 전 분기보다 높아진 것은 SK하이닉스가 유일하다.

김종환 SK하이닉스 D램 개발담당 부사장은 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM, LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것"이라며 "앞으로도 D램 시장 리더십을 지키면서 AI 메모리 설루션 기업의 위상을 공고히 하겠다"고 말했다.