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檢, ‘삼성 반도체 기술 유출’ 前 연구원 징역형 집행유예에 항소

檢, ‘삼성 반도체 기술 유출’ 前 연구원 징역형 집행유예에 항소

기사승인 2024. 06. 25. 20:14
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檢 징역 7년 벌금 2000만원 구형
法 징역 3년에 집행유예 4년 선고
<YONHAP NO-3489>
서울 서초구 서울중앙지검/연합뉴스
검찰이 삼성전자 반도체 기술을 유출한 혐의를 받는 전직 연구원 이모씨(52)의 1심 판결에 불복하고 항소했다.

25일 법조계에 따르면 서울중앙지검 정보기술범죄수사부(안동건 부장검사)는 이날 산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률 위반 등 혐의로 지난 21일 징역 3년에 집행유예 4년, 벌금 2000만원 등을 선고받은 이씨에 대한 항소를 제기했다.

앞서 검찰은 지난달 17일 열린 결심 공판에서 이씨에게 징역 7년에 벌금 2000만원을 구형했다. 이씨는 삼성전자에 재직하던 중 외국 소재 반도체 관련 업체에 이직할 목적으로 D램 반도체 적층조립기술 등 국가핵심기술과 영업비밀 자료를 유출한 것으로 파악된다.

특히 이씨가 삼성전자가 수년간 연구하고 개발한 기술을 3개월간 반복해서 유출해 사안이 매우 중대하다는 것이 검찰의 설명이다. 검찰은 이씨의 범행으로 인해 삼성전자 내부에서 보호받던 기술들이 경쟁사에서 이를 취득하거나 사용할 위험이 생겼다고 지적했다.

검찰 관계자는 "경제 안보에 직결되는 기술 유출 사범에 대해 엄정 대응할 것"이라고 밝혔다.
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