검찰, 삼성반도체 핵심기술 中 유출한 전 임원 등 구속기소

/연합뉴스

삼성전자가 수조원을 투입해 독자개발한 핵심 공정기술을 빼돌려 중국에서 반도체 제조업체를 세운 전직 임원이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다.

27일 서울중앙지검 정보기술범죄수사부(안동건 부장검사)는 중국 반도체 회사 '청두가오전' 대표 최모씨와 개발실장 오모씨를 산업기술 보호법 위반, 부정경쟁방지법 위반 등 혐의로 구속기소 했다고 밝혔다.

검찰에 따르면 이들은 2019년 말 중국 지방정부로부터 4000억원 상당을 투자받아 청두가오전을 설립한 뒤 삼성전자의 국가핵심기술인 D램 공정기술을 부정사용해 20나노 D램을 개발한 혐의를 받는다.

특히 삼성전자가 개발비 4조원을 투입해 개발한 국가핵심기술을 빼돌려 D램 반도체 공정 기술을 1년 6개월 만에 개발함으로써 중국 내에서 두 번째로 D램 시범 웨이퍼 생산에 성공한 것으로 드러났다.

최씨는 삼성전자 상무, 하이닉스반도체(SK하이닉스 전신) 부사장을 지낸 바 있으며 국내 반도체 업계에서 30년을 근무한 핵심인력이기도 했다. 오씨는 삼성전자에서 D램 메모리 수석연구원으로 근무했다.

검찰은 추가 수사를 통해 최씨가 860억원 상당의 청두가오전 지분을 취득하고, 보수 명목으로 18억원을 받아 챙긴 사실도 밝혀냈다.

검찰 관계자는 "글로벌 반도체 회사도 통상 4~5년이 걸리는 기술을 1년 반 만에 개발했다. 최종 양산에 성공할 경우 피해가 최소 수십조원에 달했을 것"이라며 "앞으로도 기업과 국가경제를 위협하는 기술유출 범죄에 엄정 대응하겠다"고 전했다.